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2SJ553(S)-(1)

更新时间： 2024-01-29 02:14:06

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日立 - HITACHI		/
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12页	63K
描述
Transistor

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2SJ553(S)-(1) 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ553(S)-(1) 数据手册

2SJ553(L),2SJ553(S)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

—

Unit

Test Conditions

I_D= –10mA, V_GS= 0

I_G= ±100µA, V_DS= 0

V_DS= –60 V, V_GS= 0

V_GS= ±16V, V_DS= 0

I_D= –1mA, V_DS= –10V

I_D= –15A, V_GS= –10V^Note4

I_D= –15A, V_GS= –4V^Note4

I_D= –15A, V_DS= –10V^Note4

V_DS= –10V

Drain to source breakdown voltage V_(BR)DSS–60

Gate to source breakdown voltage V_(BR)GSS±20

—

Zero gate voltege drain current

Gate to source leak current

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state

resistance

I_DSS

—

–1.0

—

–10

±10

–2.0

µA

I_GSS

—

V_GS(off)

R_DS(on)

|y_fs|

—

0.028 0.037

0.038 0.055

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

—

Ciss

Coss

Crss

t_d(on)

t_r

2500

1300

300

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

V_GS= 0

f = 1MHz

V_GS= –10V, I_D= –15A

R_L= 2Ω

Rise time

150

350

220

–0.95

100

Turn-off delay time

t_d(off)

t_f

Fall time

Body–drain diode forward voltage V_DF

I_F= –30A, V_GS= 0

Body–drain diode reverse

recovery time

t_rr

I_F= –30A, V_GS= 0

diF/ dt =50A/µs

Note: 4. Pulse test

1 234 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ553(S)-(2)	HITACHI	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,30A I(D),TO-263AB	获取价格
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2SJ553L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
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