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2SJ552(S)-(2) PDF预览

2SJ552(S)-(2)

更新时间： 2024-01-22 07:27:08

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
12页	60K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263AB

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2SJ552(S)-(2) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ552(S)-(2) 数据手册

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2SJ552(L),2SJ552(S)

Package Dimensions

As of January, 2001

Unit: mm

4.44 ± 0.2

1.3 ± 0.15

10.2 ± 0.3

2.59 ± 0.2

1.2 ± 0.2

1.27 ± 0.2

+ 0.2

– 0.1

0.86

0.76 ± 0.1

2.54 ± 0.5

0.4 ± 0.1

2.54 ± 0.5

Hitachi Code

JEDEC

EIAJ

LDPAK (L)

—

—

Mass (reference value)

1.4 g

9

1...6 7 8910 11 12

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与2SJ552(S)-(2)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ552L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ552L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ552STL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格

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