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2SJ552(S)-(2)

更新时间： 2024-01-30 00:57:52

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瑞萨 - RENESAS		/
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12页	60K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263AB

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2SJ552(S)-(2) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ552(S)-(2) 数据手册

2SJ552(L),2SJ552(S)

Maximum Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–50

–40

–30

–20

–10

= –20 A

= –25 V

duty < 0.1 %

–10 V

Rg > 50

= 0, 5 V

–5 V

Pulse Test

–1.6

–0.4 –0.8 –1.2

–2.0

100

125

150

Channel Temperature Tch (°C)

Source to Drain Voltage

(V)

Avalanche Test Circuit

Avalanche Waveform

DSS

– V

• L • I

•

DSS

Monitor

(BR)DSS

D. U. T

Vin

–15 V

50W

1...4 5 678 9 10...12

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与2SJ552(S)-(2)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ552L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ552L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ552STL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格