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2SJ552(S)-(2)

更新时间： 2024-02-22 12:41:36

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瑞萨 - RENESAS		/
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12页	60K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263AB

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2SJ552(S)-(2) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ552(S)-(2) 数据手册

2SJ552(L),2SJ552(S)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Tc = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

ch – c(t) = s (t) • ch – c

ch – c = 1.67 °C/W, Tc = 25 °C

D =

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Switching Time Test Circuit

Waveform

Vout

Monitor

Vin Monitor

D.U.T.

Vin

10%

90%

= –30 V

Vin

–10 V

90%

10%

50W

10%

Vout

td(off)

td(on)

1...5 6 789 10 11 12

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与2SJ552(S)-(2)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ552L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ552L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ552STL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格