2SJ529

更新时间： 2024-02-11 17:18:43

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日立 - HITACHI		开关电源开关
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9页	55K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ529 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ529 数据手册

2SJ529(L),2SJ529(S)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–1.0

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

Pulse Test

0.5

0.2

= –4 V

–10 V

= –5 A

0.1

0.05

–2 A

–1 A

0.02

0.01

Pulse Test

–4

–8

–12

–16

–20

(V)

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Gate to Source Voltage

Drain Current

(A)

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

0.5

Pulse Test

0.4

0.3

0.2

0.1

Ta = –25 °C

25 °C

= –5 A

–2 A

–1 A

75 °C

= –4 V

–5 A

–1, –2 A

0.5

–10 V

= –10 V

Pulse Test

–0.5 –1 –2 –5 –10

Drain Current I

–40

0.1

–0.1 –0.2

120

160

Case Temperature Tc (°C)

(A)

1 2 345 6 7...9

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与2SJ529相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ529(L)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-251AA	获取价格
2SJ529(L)-(2)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,10A I(D),TO-251	获取价格
2SJ529(L)\|2SJ529(S)	ETC		获取价格
2SJ529(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-252AA	获取价格
2SJ529(S)-(2)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ529(S)-(3)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格