2SJ505

更新时间： 2024-01-29 22:04:53

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
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9页	98K
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ505 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ505 数据手册

2SJ505(L), 2SJ505(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–1000

–300

–100

100

–30

–10

–3

–1

Operation in

this area is

limited by R_{DS (on)}

–0.3

–0.1

Ta = 25°C

100

150

200

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Case Temperature Tc (°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Output Characteristics

Typical Transfer Characteristics

–10 V

–8 V

–100

–80

–60

–40

–20

–100

–80

–60

–40

–20

Pulse Test

–5 V

V_DS= –10 V

Pulse Test

–4.5 V

–4 V

–3.5 V

–3 V

75°C

V_GS= –2.5 V

Tc = –25°C

25°C

–4

–8

–12

–16

–20

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–2.0

100

Pulse Test

–1.6

–1.2

–0.8

–0.4

V_GS= –4 V

–10 V

I_D= –50 A

–20 A

–10 A

–5 A

–12

Pulse Test

–4

–8

–16

–20

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

Drain Current I_D(A)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Rev.5.00 Jun 05, 2006 page 3 of 8

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