2SJ505(S)TL

更新时间： 2024-01-06 18:09:14

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日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
10页	56K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ505(S)TL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ505(S)TL 数据手册

2SJ505(L), 2SJ505(S)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown

voltage

V_(BR)DSS

–60

—

I_D= –10mA, V_GS= 0

Gate to source breakdown

voltage

V_(BR)GSS

I_DSS

±20

—

I_G= ±100µA, V_DS= 0

Zero gate voltege drain

current

—

–10

µA

V_DS= –60 V, V_GS= 0

Gate to source leak current

I_GSS

—

–1.0

—

±10

–2.0

0.022

0.036

—

µA

V_GS= ±16V, V_DS= 0

I_D= –1mA, V_DS= –10V

I_D= –25A, V_GS= –10V*¹

I_D= –25A, V_GS= –4V*¹

I_D= 25A, V_DS= 10V*¹

V_DS= –10V

Gate to source cutoff voltage V_GS(off)

Static drain to source on state R_DS(on)

—

0.017

0.024

Ω

resistance

R_DS(on)

Ω

Forward transfer admittance |y_fs|

Input capacitance

Output capacitance

Ciss

4100

2100

450

—

Coss

—

V_GS= 0

Reverse transfer capacitance Crss

—

f = 1MHz

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

—

V_GS= –10V, I_D= –10A

R_L= 3Ω

225

530

330

–1.1

—

Turn-off delay time

Fall time

—

Body to drain diode forward

voltage

V_DF

—

I_F= –50A, V_GS= 0

Body to drain diode reverse

recovery time

t_rr

—

110

—

I_F= –50A, V_GS= 0

diF/ dt = 50A/µs

Note: 1. Pulse test

1 234 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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