2SJ505(S)TL

更新时间： 2024-01-09 18:46:37

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日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
10页	56K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ505(S)TL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ505(S)TL 数据手册

2SJ505(L), 2SJ505(S)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

Ratings

–60

Unit

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

V_GSS

±20

I_D

–50

Drain peak current

Body to drain diode reverse drain current

Avalanche current

I_D(pulse)

–200

–50

I_DR

I_AP*³

E_AR*³

Pch*²

Tch

–50

Avalanche energy

214

°C

Channel dissipation

Channel temperature

Storage temperature

150

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10µs, duty cycle ≤ 1 %

2. Value at Tc = 25°C

3. Value at Ta = 25°C, Rg ≥ 50 Ω, L=100µH

123 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ505(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
2SJ505(S)TR	RENESAS	暂无描述	获取价格
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