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2SJ426

更新时间： 2024-01-17 10:43:56

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三垦 - SANKEN		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
58页	737K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ426 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	35 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ426 数据手册

2SK1177

Absolute Maximum Ratings

External dimensions

1......FM20

Electrical Characteristics

(Ta = 25ºC)

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

Conditions

min

500

max

V_DSS

V_GSS

I_D

500

±20

µA

I_D= 250µA, V_GS= 0V

V_GS= ±20V

(BR) DSS

I_GSS

±500

250

4.0

±2.5

I_DSS

V_DS= 500V, V_GS= 0V

V_DS= 10V, I_D= 250µA

V_DS= 10V, I_D= 1.4A

V_GS= 10V, I_D= 1.4A

I_{D (pulse)}

P_D

±10 (Tch 150ºC)

30 (Tc = 25ºC)

200

V_TH

2.0

1.5

ºC

Re _(yfs)

R_{DS (on)}

Ciss

2.3

2.6

350

E_AS

3.0

Ω

Tch

150

V_DS= 25V, f = 1.0MHz,

V_GS= 0V

Tstg

–55 to +150

Coss

t_on

I_D= 1.4A, V_DD= 250V,

V_GS= 10V,

See Figure 2 on Page 5.

: V = 50V, L = 60mH, I = 2.5A, unclamped,

See Figure 1 on Page 5.

t_off

140

I_D– V_DSCharacteristics (typical)

I_D–V_GSCharacteristics (typical)

R_{DS (ON)}– I_DCharacteristics (typical)

3.0

V_DS10V

V_GS10V

10V

2.0

1.0

5.5V

1.0

V_GS4.5V

–

T_C

55ºC

25ºC

125ºC

1.0

2.0

3.0

150

V_DS(V)

V_GS(V)

I_D(A)

Re (yfs) – I_DCharacteristics (typical)

V_DS– V_GSCharacteristics (typical)

R_{DS (ON)}– T_CCharacteristics (typical)

V_DS10V

I_D1.5A

V_GS10V

I_D2.5A

–

T_C

55ºC

25ºC

125ºC

I_D1.5A

0.5

0.3

0.05 0.1

0.5

–50

100

I_D(A)

V_GS(V)

Tc (ºC)

Capacitance – V_DSCharacteristics (typical)

1000

I_DR– V_SDCharacteristics (typical)

Safe Operating Area

_D– Ta Characteristics

(Tc = 25ºC)

3.0

V_GS0V

1MHz

I_D(pulse) max

Ciss

500

I_Dmax

2.0

100

Coss

V_GS0V

0.5

1.0

5V,10V

0.1

Crss

Without heatsink

0.03

0.5

1.0

1.5

100

Ta (ºC)

50 100

V_DS(V)

500 1000

V_DS(V)

V_SD(V)

1...7 8 91011 12 13...58

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