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2SJ377(2-7B1B)

更新时间： 2024-02-12 15:09:25

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	418K
描述
TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SJ377(2-7B1B) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	SC-64
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	雪崩能效等级（Eas）：	273 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ377(2-7B1B) 数据手册

2SJ377

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (L −π−MOSV)

2SJ377

Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive

Applications

Unit: mm

6.5 ± 0.2

5.2 ± 0.2

0.6 MAX.

z 4 V gate drive

z Low drain-source ON-resistance

z High forward transfer admittance

: R

= 0.16 Ω (typ.)

DS (ON)

: |Y | = 4.0 S (typ.)

z Low leakage current : I

= −100 μA (max) (V

= −60 V)

DSS

1.1 ± 0.2

z Enhancement mode : V = −0.8 to −2.0 V (V

= −10 V, I = −1 mA)

0.8 MAX.

0.6 MAX.

1.05 MAX.

0.6 ± 0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

−60

±20

−5

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

2.3 ± 0.15

GSS

1. GATE

2. DRAIN

DC (Note 1)

Pulse (Note 1)

（HEAT SINK）

3. SOURSE

Drain current

−20

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

JEDEC

JEITA

―

Single-pulse avalanche energy

273

(Note 2)

Avalanche current

−5

TOSHIBA

2-7J1B

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

Weight: 0.36 g (typ.)

150

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability

Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.

reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to case

Thermal resistance, channel to ambient

6.25

125

°C / W

th (ch−c)

th (ch−a)

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.

Note 2: = −25 V, T = 25°C (initial), L = 14.84 mH, R = 25 Ω,

= −5 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2010-02-05

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ377(2-7B2B)	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-64, 3 PIN, FET General Pu	获取价格
2SJ377(2-7J1B)	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7J1B, SC-64, 3	获取价格
2SJ377(SM)	TOSHIBA	暂无描述	获取价格
2SJ377(TE16L1,NQ)	TOSHIBA	Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold T/R	获取价格
2SJ377_05	TOSHIBA	Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive Applications	获取价格
2SJ377_10	TOSHIBA	Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive Applications	获取价格

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