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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ326-Z-T1 | RENESAS |
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2SJ326-Z-T1 |
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| 2SJ327 | NEC |
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SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ327(JM) | RENESAS |
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2SJ327(JM) |
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| 2SJ327-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),TO-251VAR |
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| 2SJ327-Z | NEC |
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SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ327-Z-AZ | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ327-Z-E1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ327-Z-E1 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ327-Z-E2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ327-Z-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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