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2SD965AL-Q-AB3-B

更新时间： 2024-01-03 03:08:18

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友顺 - UTC		晶体晶体管
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描述
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR

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2SD965AL-Q-AB3-B 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Base Number Matches：	1

2SD965AL-Q-AB3-B 数据手册

2SD965/A

NPN SILICON TRANSISTOR

ꢀ

TYPICAL CHARACTERISTICS

Static Characteristics

I_B=3.0mA

DC Current Gain

10³

10²

10¹

10⁰

3.0

2.5

I_B=2.5mA

I_B=2.0mA

2.0

1.5

I_B=1.5mA

V_CE=2V

I_B=1.0mA

I_B=0.5mA

1.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

10^-1

10¹

10²

10³

10⁴

Collector-Emitter Voltage ( V)

Collector Current, I_C(mA)

Base-Emitter on Voltage

Saturation Voltage

I_C=30·I_B

10⁴

25℃

V_CE=2V

-25℃

Ta=75℃

V_BE(SAT)

10³

10²

10¹

V_CE(SAT)

10⁰

10¹

10²

10³

10⁴

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Base to Emitter Voltage, V_BE(V)

Collector Current, I_C(mA)

Current Gain-BandwidthProduct

Collector Output Capacitance

10³

10²

10¹

10⁰

10³

10²

10¹

10⁰

f=1MHz

I_E=0

V_CE=6V

10⁰

10¹

10²

10³

10^-1

10⁰

10¹

10²

Collector Current, I_C(mA)

Collector-Base Voltage (V)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 4

QW-R209-007,B

www.unisonic.com.tw

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