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2SD965AL-Q-AB3-B

更新时间： 2024-02-05 14:16:31
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友顺 - UTC 晶体晶体管
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4页 57K
描述
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR

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2SD965AL-Q-AB3-B 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61Base Number Matches：1

2SD965AL-Q-AB3-B 数据手册

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2SD965/A  
NPN SILICON TRANSISTOR  
ꢀ
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25  
℃)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
RATINGS  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
40  
20  
30  
7
2SD965  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
2SD965A  
V
V
SOT-89  
TO-92  
500  
mW  
Collector Dissipation  
PC  
750  
1
mW  
W
TO-252  
Collector Current  
IC  
TJ  
5
A
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
℃
℃
TSTG  
-65 ~ +150  
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.  
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.  
ꢀ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃, unless otherwise specified)  
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS  
MIN  
40  
20  
30  
7
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO IC=100 A, IE=0  
µ
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
2SD965  
2SD965A  
V
BVCEO IC=1mA, IB=0  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
BVEBO IE=10 A, IC=0  
µ
V
ICBO  
IEBO  
VCB=10V, IE=0  
VEB=7V, IC=0  
100  
100  
nA  
nA  
VCE=2V, IC=1mA  
VCE=2V, IC=0.5A  
VCE=2V, IC=2A  
200  
150  
DC Current Gain(note)  
hFE  
230  
150  
800  
1
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
VCE(SAT) IC=3A, IB= 0.1A  
V
fT  
VCE=6V, IC=50mA  
MHz  
pF  
Cob  
VCB=20V, IE=0, f=1MHz  
50  
CLASSIFICATION OF hFE2  
ꢀ
RANK  
Q
R
S
RANGE  
230-380  
340-600  
560-800  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2 of 4  
QW-R209-007,B  
www.unisonic.com.tw  
1234

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