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2SD965-BP

更新时间： 2024-11-18 21:12:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 340K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2SD965-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.43最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：22 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：340JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD965-BP 数据手册

  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
2SD965  
Features  
·
·
·
·
Capable of 0.75Watts of Power Dissipation.  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
Collector-current 0. 5A  
Collector-base Voltage 42V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
TO-92  
Pin Configuration  
Bottom View  
E
C
B
A
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V (BR)CEO  
V (BR)CBO  
V (BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I C=1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I C=10uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I E=10uAdc, IC=0)  
22  
42  
Vdc  
Vdc  
6.0  
Vdc  
C
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
(VCB=30Vdc, I =0)  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=6.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
D
I
C=0.15mAdc, VCE=2.0Vdc)  
150  
340  
150  
hFE(2)  
DC Current Gain  
(I C=500mAdc, VCE=2.0Vdc)  
DC Current Gain  
(I C=2000mAdc, VCE=2.0Vdc)  
950  
h FE(3)  
V CE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=3000mAdc, IB=100mAdc)  
0.35  
Vdc  
G
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.175  
MM  
MIN  
DIM  
A
MAX  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
NOTE  
.185  
.185  
---  
4.45  
4.46  
12.7  
0.41  
3.43  
2.42  
B
C
.175  
.500  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
R
T
D
.016  
.020  
.145  
.105  
0.63  
3.68  
2.67  
Range  
340-560  
560-950  
E
G
.135  
.095  
www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2003/06/30  
1

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与2SD965-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD965BQ UTC

获取价格

 		Transistor
2SD965BR UTC

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 		暂无描述
2SD965BS UTC

获取价格

 		Transistor
2SD965G-Q-AB3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SD965G-X-AB3-R UTC

获取价格

 		LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR
2SD965G-X-T92-B UTC

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 		LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR
2SD965G-X-T92-K UTC

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 		LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR
2SD965G-X-TN3-R UTC

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 		LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR
2SD965-HF_15 KEXIN

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 		NPN Transistors
2SD965K TYSEMI

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 		Satisfactory operation performances at high efficiency with the lowvoltage power supply.

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