Datasheet > 2SD788

2SD788

更新时间： 2024-01-08 13:27:43

品牌	Logo	应用领域
SUNTAC		/
页数	文件大小	规格书
2页	103K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD788 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD788 数据手册

2SD788

Silicon NPN epitaxial planar type

Typical Output Characteristics

Maximum Collector Dissipation Curve

100

1.2

0.8

0.4

0.15

0.05 mA

I_B= 0

100

150

Ambient Temperature Ta (°C)

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

1,000

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

300

100

V_CE= 2 V

Ta = 75°C

5 mA

–25

I_B= 0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Base to Emitter Voltage V_BE(V)

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

DC Current Transfer Ratio vs.

Collector Current

Saturation Voltage vs. Collector Current

10,000

3.0

1.0

Pulse

_CE= 2 V

V_BE(sat)

3,000

1,000

Ta = 75°C

0.3

0.1

I_C= 10 I_B

300

100

–25

0.03

0.01

V_CE(sat)

0.003

100 300 1,000

100 300 1,000 3,000

Collector Current I_C(mA)

下载PDF

与2SD788相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD788B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 16V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-92VAR	获取价格
2SD788-B	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SD788-B	HITACHI	SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SD788C	RENESAS	2000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN	获取价格
2SD788-C	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SD788-C	HITACHI	SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格