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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD669A-C-BP
2SD669A-C-BP PDF预览

2SD669A-C-BP

更新时间： 2024-11-12 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 267K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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2SD669A-C-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.56最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

2SD669A-C-BP 数据手册

 浏览型号2SD669A-C-BP的Datasheet PDF文件第2页 
2SD669(A)  
2SD669(A)-B  
2SD669(A)-C  
2SD669-D  
M C C  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Capable of 1 Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 1.5A  
·
·
•
•
•
•
Collector-base Voltage 180V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
K
A
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
N
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
D
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =10mAdc, IB=0)  
---  
---  
2SD669  
2SD669A  
120  
160  
Vdc  
Vdc  
C
ꢀ
E
M
B
---  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
180  
Vdc  
(I =1mAdc, IE=0)  
C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I =1mAdc, IC=0)  
5.0  
---  
---  
---  
10  
10  
Vdc  
uAdc  
uAdc  
E
1
2
3
I
Collector Cutoff Current  
(VCB=160Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
CBO  
L
G
IEBO  
(VEB=4Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
DC Current Gain  
C
---  
---  
(I =150mAdc, VCE=5Vdc)  
C
2SD669  
2SD669A  
60  
60  
320  
200  
hFE-2  
DC Current Gain  
30  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =500mAdc, VCE=5Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE  
fT  
Cob  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.0  
1.5  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
F
Q
Base-Emitter Saturation Voltage  
(VCE=5Vdc, IC=150mAdc)  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
EMITTER  
COLLECTOR  
BASE  
J
TransitionFrequency  
(VCE=5Vdc, IC=150mAdc)  
MHz  
pF  
140(TYP)  
14(TYP)  
DIMENSIONS  
Collectoroutputcapacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0,f=1MHz)  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
7.40  
10.60  
15.30  
3.90  
3.00  
0.66  
1.17  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢆ  
ꢉꢆ  
ꢍ
0.291  
0.417  
0.602  
ꢎꢏꢐꢑ4  
0.118  
0.026  
0.046  
0.307ꢆ  
0.433  
0.618  
ꢎꢏꢐꢒ1  
0.126  
0.034  
0.054  
7.80  
11.00  
15.70  
4.10  
3.20  
0.86  
1.37  
FE  
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢓ
CLASSIFICATION OF H  
Rank  
B
C
D
Range 2SD669  
60-120  
100-200  
160-320  
ꢔ
2SD669A  
60-120  
100-200  
ꢕꢆ  
0.090TYP  
0.098  
0.083  
0.000  
0.043  
2.290TYP  
ꢖꢆ  
0.114  
2.50  
2.90  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.  
L
M
N
0.091  
0.012  
0.059  
2.10  
0.00  
1.10  
2.30  
0.30  
1.50  
Q
0.018  
0.024  
0.45  
0.60  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD669A-C-BP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor,
2SD669A-C-T60-A-K UTC

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 		Transistor
2SD669A-C-T60-K UTC

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2SD669A-C-T60-R UTC

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