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2SD401A_2015

更新时间： 2022-02-26 13:19:03

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD401A_2015 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SD401A

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB546A

·Collector current I_C=2A

·Collector-collector voltage:V_CEO=150V(Min)

APPLICATIONS

·For use in general purpose power amplifier,

vertical output application

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

200

150

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_D

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

CHARACTERISTICS

MAX

UNIT

Rθjc

Thermal resistance junction to case

5.0

℃/W

JMnic

12 3

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2SD401AL	MOSPEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-220AB
2SD401AM	MOSPEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-220AB
2SD402	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD402	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD402A	NEC	获取价格	VERTICAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV PNP/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR
2SD402A1X16	ETC	获取价格	Converter IC
2SD402A1X16M	ETC	获取价格	Converter IC
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