2SD2549

更新时间： 2024-02-07 10:31:44

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)

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2SD2549 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2549 数据手册

Power Transistors

2SD2549

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power amplification

Unit: mm

Features

■

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory

4.6±0.2

9.9±0.3

2.9±0.2

linearity

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

φ3.2±0.1

one screw

1.4±0.2

2.6±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1.6±0.2

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

0.8±0.1

0.55±0.15

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

2.54±0.3

5.08±0.5

1:Gate

2:Drain

3:Source

I_C

Collector power T_C=25°C

TO–220D Full Pack Package

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

V_CE= 70V, V_BE= 0

Collector cutoff current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

V_CE= 70V, I_B= 0

V_EB= 6V, I_C= 0

I_C= 30mA, I_B= 0

Emitter cutoff current

Collector to emitter voltage

h_FE1

_CE= 4V, I_C= 1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= 4V, I_C= 3A

1.8

0.7

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 3A, I_B= 0.375A

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 10MHz

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

MHz

µs

0.5

4.5

0.5

I_C= 1A, I_B1= 0.1A, I_B2= – 0.1A,

V_CC= 50V

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

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