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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD2560
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2SD2560

更新时间： 2024-11-17 22:40:27
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)

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2SD2560 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：MT100, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.19最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：5000JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：70 MHzBase Number Matches：1

2SD2560 数据手册

  
C
E
Equivalent circuit  
B
Darlington 2 S D2 5 6 0  
(70Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1647)  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Electrical Characteristics  
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
■
■
(Ta=25°C)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Symbol  
2SD2560  
100max  
100max  
150min  
5000min  
2.5max  
3.0max  
70typ  
2SD2560  
Unit  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
ICBO  
150  
V
VCB=150V  
±0.1  
2.0  
9.6  
IEBO  
150  
V
VEB=5V  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=30mA  
5
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=10A  
IC=10A, IB=10mA  
IC=10A, IB=10mA  
VCE=12V, IE=–2A  
VCB=10V, f=1MHz  
15  
1
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
130(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
Tj  
MHz  
pF  
3
Tstg  
COB  
120typ  
–55to+150  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
1.05  
0.65  
1.4  
hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
B
C
E
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
40  
4
10  
10  
–5  
10  
–10  
0.8typ  
4.0typ  
1.2typ  
–
–
–
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
10mA  
3mA  
15  
15  
3
10  
2
10  
0.5mA  
IC=.15A  
IC=.10A  
5
1
0
IC=.5A  
5
IB=0.3mA  
0
0
0
2
4
6
0.2  
0.5  
1
5
10  
50 100 200  
0
1
2
2.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
hFE IC Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
3.0  
50000  
50000  
Typ  
1.0  
0.5  
10000  
5000  
10000  
5000  
1000  
500  
1000  
500  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
02  
0.5  
1
5
10 15  
02  
0.5  
1
5
10 15  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
Safe Operating Area (Single Pulse)  
fT IE Characteristics (Typical)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
130  
100  
80  
60  
40  
20  
50  
Without Heatsink  
3.5  
0
0
–0.02 –0.05 –01  
–0.5 –1  
–5 –10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
158  
1

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2SD2560 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC4301 SANKEN

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2SD2560P ISC

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 		暂无描述
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