Datasheet > 2SD2544Q

2SD2544Q

更新时间： 2024-02-22 09:18:56

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	66K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SIP

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD2544Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2544Q 数据手册

Power Transistors

2SD2544

Silicon NPN triple diffusion planar type

Unit: mm

For power amplification with high forward current transfer ratio

10.0 0.ꢀ

5.0 0.1

1.0 0.ꢀ

I Features

•

High forward current transfer ratio h_FE

Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

Allowing supply with the radial taping

1.ꢀ 0.1

C 1.0

1.48 0.ꢀ

ꢀ.ꢀ5 0.ꢀ

0.65 0.1

0.35 0.1

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.65 ^0.1

1.05 0.1

0.55 ^0.1

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

0.55 0.1

ꢀ.5 0.ꢀ

ꢀ 3

1: Base

2: Collector

3: Emitter

I_C

MT-4 (MT4 Type Package)

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_CB= 60 V, I_E= 0

V_EB= 7 V, I_C= 0

I_EBO

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

V_CEO

I_C= 10 mA, I_B= 0

V_CE= 2 V, I_C= 0.8 A

V_CE= 2 V, I_C= 2 A

I_C= 2 A, I_B= 50 mA

500

h_FE1

1 000 2 000

h_FE2

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

0.5

1.5

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 10 MHz

I_C= 2 A, I_B1= 50 mA, I_B2= −50 mA,

V_CC= 50 V

0.5

3.6

1.1

MHz

µs

t_on

Storage time

t_stg

µs

Fall time

t_f

µs

Note) : Rank classification

Rank

h_FE1

500 to 1 200 800 to 2 000

12 3 4

下载PDF

与2SD2544Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD2549	PANASONIC	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)	获取价格
2SD2549	ISC	Silicon NPN Power Transistor	获取价格
2SD2549P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220VAR	获取价格
2SD2549Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220VAR	获取价格
2SD2550	TOSHIBA	NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV)	获取价格
2SD2550	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格