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2SD2538Q

更新时间： 2024-02-10 14:48:46

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描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-220VAR

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2SD2538Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220D
包装说明：	TO-220D, FULL PACK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2538Q 数据手册

Power Transistors

2SD2538

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

Unit: mm

4.6±±.ꢀ

For power amplification

9.9±±.ꢁ

ꢀ.9±±.ꢀ

φ ꢁ.ꢀ±±.1

I Features

•

High forward current transfer ratio h_FE

Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw

1.4±±.ꢀ

1.6±±.ꢀ

ꢀ.6±±.1

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

±.8±±.1

±.55±±.15

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

ꢀ.54±±.ꢁ±

5.±8±±.5±

ꢀ

ꢁ

1: Base

2: Collector

3: Emitter

I_C

TO-220D Package

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

Internal Connection

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector cutoff current

V_CB= 60 V, I_E= 0

I_CEO

V_CE= 30 V, I_B= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_EB= 5 V, I_C= 0

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

V_CEO

h_FE1

I_C= 30 mA, I_B= 0

V_CE= 4 V, I_C= 1 A

V_CE= 4 V, I_C= 2 A

I_C= 2 A, I_B= 8 mA

I_C= 4 A, I_C= 2 A

1 000

2 000

h_FE2

10 000

2.5

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)

V_BE

f_T

2.8

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 1 MHz

I_C= 2 A, I_B1= 8 mA, I_B2= −8 mA,

V_CC= 50 V

0.5

4.0

1.0

MHz

µs

t_on

Storage time

t_stg

µs

Fall time

t_f

µs

Note) : Rank classification

Rank

h_FE2

4 000 to 10 000 2 000 to 5 000

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