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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.49 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2415-D | HITACHI |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2415RF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SD2415RR | HITACHI |
获取价格 |
500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2SD2415TZ | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SD2416 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency amplification) |
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| 2SD2420 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN triple diffusion planer type Darlington(For power amplification) |
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| 2SD2420A | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD2420AP | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD2420AQ | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD2420P | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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