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2SD2321

更新时间： 2024-02-28 22:07:58

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松下 - PANASONIC		/
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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)

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2SD2321 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Bismuth/Copper (Sn/Ag/Bi/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2321 数据手册

Transistor

2SD2321

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency power amplification

Unit: mm

4.0±0.2

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Satisfactory operation performances at high efficiency with the

low-voltage power supply.

marking

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1.27 1.27

2.54±0.15

1:Emitter

2:Collector

3:Base

EIAJ:SC–72

New S Type Package

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_CP

400

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

0.1

Unit

µA

V_CB= 10V, I_E= 0

_CE= 10V, I_B= 0

Collector cutoff current

I_CEO

1.0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_EB= 7V, I_C= 0

0.1

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CEO

V_EBO

I_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 0.5A^*2

V_CE= 2V, I_C= 2A^*2

I_C= 3A, I_B= 0.1A^*2

h_FE1

h_FE2

230

150

600

1.0

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.28

150

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= 6V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 20V, I_E= 0, f = 1MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

230 ~ 380

340 ~ 600

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