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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2318
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2SD2318

更新时间： 2024-09-30 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
High-current gain Power Transistor(60V, 3A)

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2SD2318 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.79最大集电极电流 (IC)：4.5 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：390
JESD-609代码：e2极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：15 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)

2SD2318 数据手册

  
2SD2318  
Transistors  
High-current gain Power Transistor  
(60V, 3A)  
2SD2318  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) High DC current gain.  
2) Low saturation voltage.  
CE  
5.5  
0.9  
1.5  
C
B
(Typ. V (sat) =0.5V at I / I =2A / 0.5A)  
3) Complements the 2SB1639.  
C0.5  
0.8Min.  
(1) Base(Gate)  
1.5  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
2.5  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
9.5  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
80  
V
60  
V
Emitter-base voltage  
6
V
3
4.5  
A
Collector current  
I
C
A(Pulse)  
*
1
W
Collector power dissipation  
PC  
15  
W(Tc=25˚C)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
-55~+150  
Single pulse Pw=100ms  
*
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD2318  
CPT3  
UV  
Package  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
TL  
2500  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
-
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
80  
60  
-
-
V
V
I
I
I
C
=
=
50µA  
1mA  
C
-
-
6
-
V
E
=
50µA  
I
CBO  
-
-
100  
100  
1.0  
1.5  
1800  
-
µA  
µA  
V
V
V
CB  
EB  
=
80V  
Emitter cutoff current  
I
EBO  
-
-
=
6V  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
-
-
I
I
C/I  
B
=
2A/0.05A  
2A/0.05A  
*
V
BE(sat)  
-
-
V
C/I  
B
=
*
560  
-
-
hFE  
V
V
CE/I  
CE  
C=  
4V/0.5A  
5V, I =-0.2A, f  
10V, I 0A, f 1MHz  
Transition frequency  
f
T
-
-
50  
60  
MHz  
pF  
=
=
E
=10MHz  
Output capacitance  
Cob  
-
V
CB  
E
=
=
*
Measured using pulse current.  
*
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2318/E ROHM

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