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2SD2318F5/U

更新时间: 2024-01-29 04:33:34
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SD2318F5/U 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.64外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):560
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:15 W最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SD2318F5/U 数据手册

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