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2SD2318F5E

更新时间： 2024-02-06 18:43:49
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 56K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252

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2SD2318F5E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.64
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：820
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：15 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：1 VBase Number Matches：1

2SD2318F5E 数据手册

  
2SD2394  
Transistors  
Power Transistor (60V, 3A)  
2SD2394  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Low saturation voltage.  
C
(Typ. V  
CE(sat) =  
0.3V at I / I 2A / 0.2A)  
B =  
10.0  
4.5  
2.8  
3.2  
φ
2) Excellent DC current gain characteristics.  
3) Wide SOA (safe operating area).  
1.2  
1.3  
0.8  
0.75  
( )  
(1) Base Gate  
2.54  
2.54  
)
2.6  
(
) (  
)
(
2
3
1
(
)
)
(2) Collector Drain  
(
(
) ( )  
( )  
2
3
1
(3) Emitter Source  
ROHM : TO-220FN  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
80  
60  
V
V
7
V
I
C
3
A(DC)  
A(Pulse)  
W
Collector current  
I
CP  
6
∗
2
25  
Collector power dissipation  
PC  
W(Tc  
=
25°C)  
Junction temperature  
Storage temperature  
∗ Single pulse, Pw=100ms  
Tj  
150  
°C  
°C  
−
Tstg  
55 ∼ +150  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD2394  
Package  
TO-220FN  
EF  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
−
500  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
80  
60  
7
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
10  
10  
1
V
V
I
I
I
C
C
E
= 50µA  
= 1mA  
= 50µA  
CB = 60V  
EB = 7V  
V
I
CBO  
−
−
−
−
−
100  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
VCE(sat)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage  
I
I
C/I  
B
= 2A/0.2A  
= 2A/0.2A  
0.8  
1.5  
V
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
V
C/I  
B
∗
hFE  
320  
−
−
MHz  
pF  
V
CE/I  
CE = 5V , I  
CB = 10V , I  
C
= 5V/0.5A  
= −0.5A , f = 5MHz  
= 0A , f = 1MHz  
8
V
E
f
Cob  
T
−
−
35  
Output capacitance  
V
E
∗
∗
Measured using pulse current.  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2318F5TLE ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2318F5TLEU ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2318F5TLEV ROHM

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2SD2318F5TLUV ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2318F5TLV ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2318F5U ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SD2318F5V ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SD2318TL/E ROHM

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2SD2318TL/EU ROHM

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