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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2318TL/UV
2SD2318TL/UV PDF预览

2SD2318TL/UV

更新时间： 2024-02-29 18:26:44
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 135K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SD2318TL/UV 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.64Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：560JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：15 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

2SD2318TL/UV 数据手册

 浏览型号2SD2318TL/UV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2318TL/UV的Datasheet PDF文件第3页 
High-current gain Power Transistor (60V, 3A)  
2SD2318  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) High DC current gain.  
2) Low saturation voltage.  
(Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A)  
5.5  
0.9  
1.5  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
C0.5  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
80  
V
0.8Min.  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
1.5  
60  
V
2.5  
9.5  
6
V
3
A
A(Pulse)  
W
Collector current  
IC  
∗
4.5  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
1
15  
Collector power dissipation  
PC  
W(T  
C=25°C)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗
Single pulse PW=100ms  
Packaging specifications and hFE  
Type  
Package  
2SD2318  
CPT3  
UV  
hFE  
Code  
TL  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
80  
60  
6
Typ.  
−
−
−
−
−
−
−
−
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
I
I
I
C
=50μA  
=1mA  
V
C
−
V
E
=50μA  
CB=80V  
EB=6V  
I
CBO  
−
100  
100  
1.0  
1.5  
1800  
−
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
−
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
−
−
560  
I
I
C/I  
B
=2A/0.05A  
=2A/0.05A  
∗
∗
V
BE(sat)  
V
C/I  
B
hFE  
−
MHz  
V
V
V
CE/I  
CE=5V, I  
CB=10V, I  
C
=4V/0.5A  
=−0.2A, f=10MHz  
=0A, f=1MHz  
Transition frequency  
f
T
−
50  
E
Output capacitance  
Cob  
−
60  
−
pF  
E
∗
∗Measured using pulse current.  
www.rohm.com  
2010.01 - Rev.B  
1/2  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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与2SD2318TL/UV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2318TL/V ROHM

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 		3000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, SC-63, 3 PIN
2SD2318TLU ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC-
2SD2318TR/EU ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2318TR/EV ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2318TR/U ROHM

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2SD2318TR/UV ROHM

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2SD2318TR/V ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2318U ROHM

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | TO-252VAR
2SD2318V ROHM

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | TO-252VAR
2SD2321 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)

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