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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 820 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2315TV6W | ROHM |
获取价格 |
150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SD2315U | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SIP |
|
| 2SD2315V | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SIP |
|
| 2SD2315W | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SIP |
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| 2SD2318 | ROHM |
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High-current gain Power Transistor(60V, 3A) |
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| 2SD2318 | KEXIN |
获取价格 |
High-current gain Power Transistor |
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| 2SD2318 | TYSEMI |
获取价格 |
High DC current gain. Low saturation voltage.Collector-base voltage VCBO 80 V |
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| 2SD2318/E | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| 2SD2318/EU | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| 2SD2318/EV | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
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