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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92L | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 560 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2159V | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-92 |
|
| 2SD2159W | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-92 |
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| 2SD2161 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHIN |
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| 2SD2161 | RENESAS |
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5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3 |
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| 2SD2161K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
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| 2SD2161-K | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SD2161L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
|
| 2SD2161-L | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SD2161L-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB |
|
| 2SD2161M | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
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