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2SD2098

更新时间： 2025-09-22 18:54:31

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南晶电子 - DGNJDZ		/
页数	文件大小	规格书
3页	379K
描述
Pcm(mW) : 500; Ic(mA) : 5000; BVCBO(V) : 50; BVCEO(V) : 20; BVEBO(V) : 6; Min : 120; Max : 390; VCE (sat) (v) : 2; Package Outline : SOT-89;

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2SD2098 数据手册

DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

Low VCE(sat) Transistor

2SD2098

FEATURES

Low V_CE(sat).

Excellent DC current gain characteristics.

Complements the 2SB1386

SOT-89

ORDERING INFORMATION

Type No.

2SD2098

Marking

Package Code

SOT-89

AHQ/AHR

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

P_C

500

℃

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55 to +150

www.dgnjdz.com

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