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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HRT, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2033D | ROHM |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SD2033E | ROHM |
获取价格 |
Transistor, |
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| 2SD2033F | ROHM |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SD2033T114/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SD2033T114/EF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SD2033T114D | ROHM |
获取价格 |
1.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SD2033T114E | ROHM |
获取价格 |
1.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SD2034 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-82VAR |
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| 2SD2035 | ROHM |
获取价格 |
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SD2035D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-225VAR |
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