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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 30 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1865TV2/RS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1865TV2/S | ROHM |
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1000mA, 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1865TV2Q | ETC |
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BJT |
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| 2SD1865TV2R | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SD1865TV2S | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1865TV3 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1865TV3/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1865TV3/QS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1865TV3/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1865TV3/RS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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