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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.18 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1857D | FOSHAN |
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TO-252 |
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| 2SD1857G-P-T92-B | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857G-P-T92-K | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857G-P-T92-R | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857G-P-T9N-B | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857G-P-T9N-K | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857G-P-TM3-T | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857G-Q-T92-B | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857G-Q-T92-K | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1857G-Q-T92-R | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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