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2SD1857L-P-T60-K

更新时间: 2024-11-29 14:32:03
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4页 149K
描述
Power Bipolar Transistor

2SD1857L-P-T60-K 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.56
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):82
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):80 MHz
Base Number Matches:1

2SD1857L-P-T60-K 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2SD1857  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
POWER TRANSISTOR  
„
FEATURES  
* High breakdown voltage.(BVCEO=120V)  
* Low collector output capacitance.(Typ.20pF at VCB=10V)  
* High transition frequency.(fT=80MHz)  
„
ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
1
E
E
E
E
E
E
E
2
3
B
B
B
B
B
B
B
TO-126  
TO-126S  
TO-251  
TO-92  
C
C
C
C
C
C
C
Bulk  
Bulk  
2SD1857L-x-T60-K  
2SD1857L-x-T6S-K  
2SD1857L-x-TM3-T  
2SD1857L-x-T92-B  
2SD1857L-x-T92-K  
2SD1857L-x-T9N-B  
2SD1857L-x-T9N-K  
2SD1857G-x-T60-K  
2SD1857G-x-T6S-K  
2SD1857G-x-TM3-T  
2SD1857G-x-T92-B  
2SD1857G-x-T92-K  
2SD1857G-x-T9N-B  
2SD1857G-x-T9N-K  
Tube  
Tape Box  
Bulk  
TO-92  
TO-92NL  
TO-92NL  
Tape Box  
Bulk  
Note: Pin Assignment: E: Emitter C: Collector B: Base  
www.unisonic.com.tw  
1 of 4  
Copyright © 2014 Unisonic Technologies Co., LTD  
QW-R201-057. I  

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2SD1857L-P-T92-B UTC

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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, L
2SD1857L-P-T9N-K UTC

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