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2SD1815-Q-TP

更新时间： 2024-11-16 21:02:47

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美微科 - MCC		/
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描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SD1815-Q-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.61
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SD1815-Q-TP 数据手册

2SD1815-Q

2SD1815-R

2SD1815-S

2SD1815-T

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates RoHS

Compliant. See ordering information)

NPN Silicon

Epitaxial Transistor

•

Capable of 1.0Watts of Power Dissipation.

Collector-current 3.0A

Collector-base Voltage 120V

Operating and storage junction temperature range:-55 C to +150 C

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

DPAK

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100

Vdc

(I =1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

120

(I =10uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=10uAdc,I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=100Vdc, I_E=0Adc)

Emitter Cutoff Current

Vdc

1.0

uAdc

I_EBO

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0Adc)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

DC Current Gain*

(I_C=500mAdc, V_CE=5.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

400

0.4

1.2

V_CE(sat)

V_BE(sat)

(I =1500mAdc, I_B=150mAdc)

Vdc

PIN 1. BASE

PIN 2.4 COLLECTOR

PIN 3. EMITTER

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =1500mAdc, I_B=150mAdc)

Vdc

DIMENSIONS

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

INCHES

MAX

Transistor Frequency

(I =500mAdc, V_CE=10Vdc)

DIM

MIN

MAX

2.40

0.13

0.86

0.58

6.70

5.46

NOTE

180(Typ)

MHz

0.087

0.000

0.026

0.018

0.256

0.201

0.094

0.005

0.034

0.023

0.264

0.215

2.20

0.00

0.66

0.46

6.50

5.10

C_OB

Collector Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0,f=1MHz)

25(typ)

ton

Turn-on time

Storage time

Fall time

100(typ)

900(typ)

50(typ)

0.190

0.114

4.83

2.90

0.236

0.086

0.386

0.244

0.094

0.409

6.00

2.18

9.80

6.20

2.39

10.40

(V_CC=50Vdc, I_C=1.5A,IB1=-IB2=-0.15A)

CLASSIFICATION OF HFE (1)

0.055

0.067

1.40

1.70

Rank

Range

0.063

1.60

1.10

0.00

5.35

0.043

0.051

1.30

70-140

100-200

140-280

200-400

0.000

0.012

0.30

0.211

www.mccsemi.com

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Revision: A

2014/07/22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1815QTP-FA	ONSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP-FA, 4
2SD1815-Q-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD1815R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-252
2SD1815-R	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1815-R	SECOS	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1815R(TO-251)	CJ	获取价格	Transistor
2SD1815R(TO-252)	CJ	获取价格	Transistor
2SD1815R(TP-FA)	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR
2SD1815RTP	ONSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 4 PI
2SD1815S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-252

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