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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1781KT147R | ROHM |
获取价格 |
800mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SD1782 | UTC |
获取价格 |
POWER NPN TRANSISTOR |
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| 2SD1782 | CJ |
获取价格 |
SOT-23 |
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| 2SD1782 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
80V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
|
| 2SD1782_15 | UTC |
获取价格 |
POWER NPN TRANSISTOR |
|
| 2SD1782G-Q-AE3-R | UTC |
获取价格 |
POWER NPN TRANSISTOR |
|
| 2SD1782G-R-AE3-R | UTC |
获取价格 |
POWER NPN TRANSISTOR |
|
| 2SD1782G-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
POWER NPN TRANSISTOR |
|
| 2SD1782HE3-R | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn; |
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| 2SD1782K | TYSEMI |
获取价格 |
Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V(Typ.) IC / IB= 0.5A / 50mA High VCEO, VCEO=80V. |
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