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2SD1782KR

更新时间: 2024-02-25 17:45:48
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 95K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-59

2SD1782KR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.39
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD1782KR 数据手册

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Transistors  
Power Transistor (80V, 0.5A)  
2SD1782K  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = 0.2V (Typ.)  
(IC / IB = 0.5A / 50mA)  
2) High VCEO, VCEO = 80V  
3) Complements the 2SB1198K.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)  
(96-222-D93)  
271  

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