Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1766T100QR

2SD1766T100QR

更新时间： 2024-01-26 03:34:14

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	171K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SD1766T100QR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.58
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.8 V
Base Number Matches：	1

2SD1766T100QR 数据手册

2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862

Data Sheet

1000

Ta=25°C

1MHz

500

=0A

∗

Cib

PW=100ms

200

100

0.5

∗

PW=10ms

100ms

∗

0.2

0.1

0.2

0.1

Cob

0.05

a=25°C

TC=25°C

∗Single

nonrepetitive

pulse

∗Single

nonrepetitive

pulse

0.02

0.01

0.02

0.01

0.1 0.2

0.5

10 20

0.1 0.2

0.5

10 20

0.5

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)

EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)

Fig.8 Safe operating area

(2SD1766)

Fig.9 Safe operating area

(2SD1758)

Fig.7 Collector output capacitance vs.

collector-base voltage

Emitter input capacitance vs.

emitter-base voltage

Ic Max

Ic Max Pulse

0.5

0.2

0.1

0.05

Ta=25°C

Single

nonrepetitive

pulse

0.2 0.5

10 20

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V^CE(V)

Fig.10 Safe operating area

(2SD1862)

www.rohm.com

2009.12 - Rev.B

3/3

1 234

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与2SD1766T100QR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1766T100R	ROHM	2000mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN	获取价格
2SD1766T101	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	获取价格
2SD1766T101/P	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	获取价格
2SD1766T101/PQ	ROHM	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3	获取价格
2SD1766T101/PR	ROHM	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3	获取价格
2SD1766T101/QR	ROHM	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3	获取价格