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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.37 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1694M | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1694-M | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1694-M-AZ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1695 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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| 2SD1695(0)-AZ | RENESAS |
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2SD1695(0)-AZ |
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| 2SD1695-AZ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1695-K | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1695-K | RENESAS |
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2A, 35V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1695K(0)-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SD1695K(0)-AZ |
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| 2SD1695-K-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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