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2SD1697L

更新时间: 2024-02-08 18:43:24
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其他 - ETC 晶体晶体管
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2页 122K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-260VAR

2SD1697L 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):0.8 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):4000
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SD1697L 数据手册

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