2SD1695

更新时间： 2024-10-01 22:52:47

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日电电子 - NEC		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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2SD1695 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1695 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SD1695

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SD1695 is

a Darlington connection transistor and

incorporates a dumper diode between the collector and emitter and

a constant voltage diode and protection elements between the

collector and base. This transistor is ideal for drives in solenoid and

actuators.

FEATURES

• On-chip protection elements enable time and cost reduction.

C to E: Dumper diode

C to B: Constant diode

• Low collector saturation voltage

QUALITY GRADES

• Standard

Electrode Connection

1. Emitter

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to know

the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

2. Collector

3. Base

4. Collector (fin)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CEO

V^EBO

8.0

2.0

3.0

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

0.2

P^T(Ta = 25°C)

P^T(Tc = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.3

°C

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16138EJ1V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1695(0)-AZ	RENESAS	获取价格	2SD1695(0)-AZ
2SD1695-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1695-K	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1695-K	RENESAS	获取价格	2A, 35V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1695K(0)-AZ	RENESAS	获取价格	2SD1695K(0)-AZ
2SD1695-K-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1695-L	RENESAS	获取价格	2A, 35V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1695-L	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1695L(0)-AZ	RENESAS	获取价格	2SD1695L(0)-AZ
2SD1695-L-AZ	RENESAS	获取价格	2A, 35V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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