2SD1695-K

更新时间： 2024-10-02 12:58:51

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数	文件大小	规格书
4页	105K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1695-K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.23	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	8000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD1695-K 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SD1695

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SD1695 is

a Darlington connection transistor and

incorporates a dumper diode between the collector and emitter and

a constant voltage diode and protection elements between the

collector and base. This transistor is ideal for drives in solenoid and

actuators.

FEATURES

• On-chip protection elements enable time and cost reduction.

C to E: Dumper diode

C to B: Constant diode

• Low collector saturation voltage

QUALITY GRADES

• Standard

Electrode Connection

1. Emitter

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to know

the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

2. Collector

3. Base

4. Collector (fin)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CEO

V^EBO

8.0

2.0

3.0

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

0.2

P^T(Ta = 25°C)

P^T(Tc = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.3

°C

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16138EJ1V0DS00

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与2SD1695-K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1695K(0)-AZ	RENESAS	获取价格	2SD1695K(0)-AZ
2SD1695-K-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1695-L	RENESAS	获取价格	2A, 35V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1695-L	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1695L(0)-AZ	RENESAS	获取价格	2SD1695L(0)-AZ
2SD1695-L-AZ	RENESAS	获取价格	2A, 35V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1695L-S1-AZ	RENESAS	获取价格	2SD1695L-S1-AZ
2SD1695-M	RENESAS	获取价格	2A, 35V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1695-M	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1695M(0)-AZ	RENESAS	获取价格	2SD1695M(0)-AZ

与2SD1695-K相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1695-K

2SD1695-K 技术参数

2SD1695-K 数据手册

与2SD1695-K相关器件

与2SD1695-K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1695-K

2SD1695-K 技术参数

2SD1695-K 数据手册

与2SD1695-K相关器件

与2SD1695-K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？