2SD1495

更新时间： 2024-02-19 21:36:28

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	213K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD1495 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1495

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

600

TYP. MAX UNIT

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Collector Cutoff Current

I_C= 10mA; R_BE= ∞

I_E= 10mA; I_C= 0

I_C= 3.5A; I_B= 1A

V_CB= 600V; I_E= 0

I_C= 1A; V_CE= 5V

5.0

1.5

V_CE

(sat)

V_BE

(sat)

I_CBO

μA

h_FE

DC Current Gain

isc Website：www.iscsemi.cn

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