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2SD1499-P-BP PDF预览

2SD1499-P-BP

更新时间： 2024-11-25 14:49:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
4页 449K
描述
Power Bipolar Transistor,

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2SD1499-P-BP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.76
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

2SD1499-P-BP 数据手册

 浏览型号2SD1499-P-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1499-P-BP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD1499-P-BP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
2SD1499-P  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
NPN Silicon  
Power Transistors  
Wide Safe Operation Area  
•
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
•
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
100  
100  
5.0  
5.0  
Unit  
V
V
V
A
TO-220F  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
A
M
N
Collector Current-Continuous  
PC  
TJ  
TSTG  
2.0  
-55 t o +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
D
E
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
1
2
3
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICEO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
100  
100  
5
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
F
P
(I =10mAdc, IB=0)  
C
J
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector-Emitter Cutoff Current  
(VCE=50Vdc,IB=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
Vdc  
---  
50  
uAdc  
uAdc  
H
ICBO  
---  
50  
Q
(VCB=100Vdc,IE=0)  
G
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
---  
---  
50  
uAdc  
(VEB=3.0Vdc, I =0)  
C
PIN 1.  
BASE  
PIN 2.  
PIN 3.  
COLLECTOR  
EMITTER  
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
VCE(sat)  
V BE  
DC Current Gain  
20  
100  
20  
---  
---  
---  
---  
---  
90  
20  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
(I =20mAdc, VCE=5.0Vdc)  
DIM  
NOTE  
C
MIN  
.392  
MAX  
.408  
MIN  
9.96  
MAX  
10.36  
DC Current Gain  
200  
---  
A
(I =1.0Adc, VCE=5.0Vdc)  
Φ
B
C
D
.138  
.106  
3.50  
2.70  
C
DC Current Gain  
.583  
.142  
.020  
.598  
.158  
.035  
14.80  
3.60  
0.50  
15.20  
(I =3.0Adc, VCE=5.0Vdc)  
C
E
F
.520  
.100  
13.20  
4.00  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
---  
2.0  
1.8  
Vdc  
Vdc  
pF  
G
H
2.54  
(I =1.5Adc, I =1.5mAdc)  
C
B
0.90  
Base-Emitter Voltage  
(VCE=5Vdc, IC=3Adc)  
Collector output capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0,f=1MHz)  
Transition frequency  
---  
J
M
N
.043  
.169  
.104  
.053  
.185  
.126  
1.10  
4.30  
2.65  
1.35  
4.70  
3.20  
Cob  
---  
P
Q
.087  
.020  
.114  
.030  
2.20  
0.50  
2.90  
0.75  
f T  
---  
MHz  
(VCE=5Vdc, IC=0.5A,f=1MHz)  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2014/10/14  
1234

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与2SD1499-P-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1499-P-BP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor,
2SD1499Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
2SD1499R ETC

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2SD1504D ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK
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2SD1504DRF HITACHI

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