2SD1426

更新时间： 2024-01-31 20:52:26

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	96K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1426 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-609代码：	e0
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	34 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SD1426 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1426

DESCRIPTION

·With TO-3P(H)1S package

·Built-in damper diode

·High voltage ,high speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Designed for use in color TV deflection

circuits

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

Absolute maximum ratings (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

600

UNIT

Open base

Open collector

3.5

I_B

Base current

1.0

P_D

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction case

1.56

℃/W

12 3

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