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2SD1427

更新时间： 2024-01-31 12:24:15
品牌 Logo 应用领域
永盛 - Wing Shing 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 64K
描述
Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION)

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2SD1427 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.77Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：8JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

2SD1427 数据手册

  
Silicon Diffused Power Transistor  
2SD1427  
GENERAL DESCRIPTION  
Highvoltage,high-speed switching npn transistors in a  
plastic envelope with integrated efficiency diode,prim-  
arily for use in horizontal deflection circuites of colour  
television receivers  
TO-3PH  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL  
VCESM  
VCEO  
IC  
ICM  
Ptot  
VCEsat  
Icsat  
VF  
PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP  
MAX  
1500  
600  
5
UNIT  
V
Collector-emitter voltage peak value  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
VBE = 0V  
-
-
-
-
-
V
A
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Diode forward voltage  
10  
A
Tmb 25  
80  
W
V
IC = 4.0A; IB = 0.8A  
f = 16KHz  
5
-
-
-
A
IF = 4.0A  
1.2  
0.5  
1.5  
1.0  
V
Fall time  
ICsat = 4.0A; f = 16KHz  
s
tf  
LIMITING VALUES  
SYMBOL  
VCESM  
VCEO  
IC  
ICM  
IB  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
MAX  
1500  
600  
5
UNIT  
V
Collector-emitter voltage peak value  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
VBE = 0V  
-
-
V
-
A
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
10  
A
-
-
A
Base current peak value  
Total power dissipation  
Storage temperature  
-
-
-
A
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Tmb 25  
80  
W
-55  
-
150  
150  
Junction temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP  
MAX  
1.0  
UNIT  
mA  
Collector cut-off current  
VBE = 0V; VCE = VCESMmax  
VBE = 0V; VCE = VCESMmax  
Tj = 125  
-
-
ICE  
ICES  
2.0  
mA  
Collector-emitter sustaining voltage  
IB = 0A; IC = 100mA  
L = 25mH  
-
V
VCEOsust  
Collector-emitter saturation voltages  
Base-emitter satuation voltage  
DC current gain  
IC = 4.0A; IB = 0.8A  
IC = 4.0A; IB = 0.8A  
IC = 1.0A; VCE = 5V  
IF = 4.0A  
-
-
5.0  
1.5  
V
V
VCEsat  
VBEsat  
hFE  
VF  
fT  
Cc  
8
Diode forward voltage  
1.2  
2
1.5  
V
MHz  
pF  
s
Transition frequency at f = 5MHz  
Collector capacitance at f = 1MHz  
Switching times(16KHz line deflecton circuit)  
Turn-off storage time Turn-off fall time  
IC = 0.1A; VCE = 10V  
VCB = 10V  
-
-
80  
-
ICsat = 4.0A; Lc=1mH; Cfb = 4nF  
IB(end) = 0.8A; IC = 4.0A ; VCC = 105V  
-
ts  
tf  
0.5  
1.0  
s
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.  
Homepage: http://www.wingshing.com  
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153  
E-mail: wsccltd@hkstar.com  
1

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