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2SD1418DBTR-E

更新时间: 2024-11-11 06:26:43
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体小信号双极晶体管ISM频段放大器
页数 文件大小 规格书
6页 98K
描述
Silicon NPN Epitaxial

2SD1418DBTR-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:UPAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.24
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:20晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):140 MHz
Base Number Matches:1

2SD1418DBTR-E 数据手册

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2SD1418  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0787-0200  
(Previous ADE-208-1149)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency power amplifier  
Complementary pair with 2SB1025  
Outline  
RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A  
(Package name: UPAK R  
)
1
2
1. Base  
3
2. Collector  
3. Emitter  
4. Collector (Flange)  
4
*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Collector peak current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
Ratings  
Unit  
120  
80  
5
1
2
1
V
V
V
A
VEBO  
IC  
1
iC(peak)  
*
A
PC*2  
Tj  
W
°C  
°C  
150  
–55 to +150  
Storage temperature  
Tstg  
Notes: 1. PW 10 ms, Duty cycle 20%  
2. Value on the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm)  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

2SD1418DBTR-E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3
2SD1418DC HITACHI

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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN, UPAK-3
2SD1418-DC RENESAS

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2SD1418-DC HITACHI

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SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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暂无描述
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