5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SD1271R
2SD1271R PDF预览

2SD1271R

更新时间： 2024-02-01 21:25:48
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3

阅读下载

获取价格

2SD1271R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.65外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

2SD1271R 数据手册

 浏览型号2SD1271R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1271R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD1271R的Datasheet PDF文件第4页 
Power Transistors  
2SD1271  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For power switching  
Unit: mm  
Complementary to 2SB0946  
10.0 0.2  
5.5 0.2  
4.2 0.2  
2.7 0.2  
■ Features  
φ 3.1 0.1  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
• Large collector current IC  
1.3 0.2  
• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw  
1.4 0.1  
+0.2  
–0.1  
0.5  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
0.8 0.1  
Parameter  
Symbol  
Rating  
130  
80  
Unit  
V
2.54 0.3  
5.08 0.5  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
1: Base  
V
2: Collector  
3: Emitter  
EIAJ: SC-67  
1
2 3  
7
V
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
7
A
TO-220F-A1 Package  
Peak collector current  
15  
A
40  
W
Collector power  
dissipation  
Ta = 25°C  
2.0  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IC = 10 mA, IB = 0  
80  
VCB = 100 V, IE = 0  
VEB = 5 V, IC = 0  
10  
50  
µA  
µA  
IEBO  
hFE1  
VCE = 2 V, IC = 0.1 A  
VCE = 2 V, IC = 3 A  
45  
60  
*
hFE2  
260  
0.5  
1.5  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = 5 A, IB = 0.25 A  
VBE(sat) IC = 5 A, IB = 0.25 A  
V
V
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 10 MHz  
30  
0.5  
1.5  
0.1  
MHz  
µs  
IC = 3 A, IB1 = 0.3 A, IB2 = − 0.3 A  
VCC = 50 V  
Storage time  
µs  
Fall time  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
R
Q
P
hFE2  
60 to 120  
90 to 180  
130 to 260  
Publication date: April 2003  
SJD00185BED  
1
1234

下载PDF

与2SD1271R相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SD1272 PANASONIC Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching and high current amplifi

获取价格
2SD1272P ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-186

获取价格
2SD1272Q ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-186

获取价格
2SD1273 PANASONIC Silicon NPN triple diffusion planar type

获取价格
2SD1273 FOSHAN TO-220F

获取价格
2SD12732SD1273A ETC 2SD1273 2SD1273A - Power Transistor

获取价格

与2SD1271R相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证