5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SD1273O
2SD1273O PDF预览

2SD1273O

更新时间： 2024-02-24 23:52:04
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 184K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, FULL PACK-3

阅读下载

获取价格

2SD1273O 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, FULL PACK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：1200
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

2SD1273O 数据手册

 浏览型号2SD1273O的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1273O的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SD1273, 2SD1273A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
Unit: mm  
For power amplification with high forward current transfer ratio  
Complementary to 2SB1299  
10.0 0.ꢀ  
5.5 0.ꢀ  
4.ꢀ 0.ꢀ  
ꢀ.7 0.ꢀ  
φ ꢁ.1 0.1  
I Features  
•
•
•
High forward current transfer ratio hFE  
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
Full-pack package which can be installed to the heat snk wh one  
screw  
1.ꢁ 0.ꢀ  
1.4 0.1  
+0.ꢀ  
–0.1  
0.5  
0.8 0.1  
I Absolute Maximum Ratings TC = 5°C  
ꢀ.54 0.ꢁ  
5.08 0.5  
Parameter  
Symbl  
Rati
Unit  
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
2SD1273  
2SD1273A  
2SD1273  
2SD3A  
VCB
0  
V
Collector to base  
1
ꢀ ꢁ  
voltage  
100  
EIAJ: SC-67  
TO-220F Package  
VCEO  
60  
V
Collector to  
emitter voltage  
80  
Emitter to base voltg
Peak collctor curent  
Collector curent  
Base crrt  
VEBO  
ICP  
I
6
V
A
A
A
W
6
3
I
1
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
PC  
40  
Colctor
issipa
2
Juncon temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
I aracteristics TC = 25°C  
eter  
Symbol  
Contions  
Min  
Typ  
Max  
100  
100  
100  
100  
Unit  
2SD1273  
ICBO  
VCB = 80 V, IE = 0  
VCB = 100 V, IE = 0  
VCE = 40 V, IB = 0  
VCB = 6 V, IC = 0  
IC = 25 mA, IB = 0  
µA  
Collector cuff  
current  
2SD1273A  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
ICEO  
IEBO  
µA  
µA  
V
2SD1273  
VCEO  
60  
80  
Collector to emitter  
voltage  
2SD1273A  
Forward current transfer ratio *  
Collector to emitter saturation voltage  
Transition frequency  
hFE  
VCE(sat)  
fT  
VCE = 4 V, IC = 0.5 A  
500  
2 500  
1
IC = 2 A, IB = 0.05 A  
V
VCE = 12 V, IC = 0.2 A, f = 10 MHz  
50  
MHz  
Note) : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
O
hFE  
500 to 1 000 800 to 1 500 1 200 to 2 500  
Ordering can be made by the common rank (PQ rank hFE = 500 to 1 500) in the rank classification.  
1
123

下载PDF

与2SD1273O相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SD1273P ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186

获取价格
2SD1273PQ PANASONIC Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3

获取价格
2SD1273Q ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186

获取价格
2SD1274 ISC Silicon NPN Power Transistors

获取价格
2SD1274 PANASONIC Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)

获取价格
2SD1274 JMNIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

与2SD1273O相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证