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2SC945

更新时间： 2024-02-13 19:52:52

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TGS		晶体晶体管
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1页	178K
描述
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (NPN)

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2SC945 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SC945 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92

2SC945

TRANSISTOR (NPN )

1.EMITTER

2.COLLECTOR

3. BASE

FEATURE

Excellent h_FElinearity

Low noise

Complementary to A733

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

400

125

-55-125

℃

P_C

T_J

T_stg

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=1mA , I_E=0

I_C=100μA , I_B=0

I_E=100 A, I_C=0

μA

V_CB=60V, I_E=0

0.1

700

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=45V

, I^B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=5V ,I_C=0

μA

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CE=6V , I_C=1mA

DC current gain

V_CE=6V , I_C=0.1mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=6V,I_C=10mA,f=30MHz

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

0.3

200

MHz

Collector output capacitance

Cob

V_CB=10V,I_E=0,f=1MH

VCE=6V,IC=0.1mA

RG=10kΩ,f=1MHz

3.0

Noise figure

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

200-400

Rank

Range

70-140

120-240

350-700

A,Jan,2011

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